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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
44
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
9.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
30
读取速度,GB/s
13.2
14.5
写入速度,GB/s
9.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
2516
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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