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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
52
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
3297
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
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