RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
52
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2489
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link