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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
52
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
28
读取速度,GB/s
9.8
14.4
写入速度,GB/s
8.0
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2489
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
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