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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
74
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
23
读取速度,GB/s
4,178.4
16.2
写入速度,GB/s
2,201.1
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2579
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
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