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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
23
读取速度,GB/s
14.9
17.6
写入速度,GB/s
9.5
13.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3188
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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