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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
13.7
写入速度,GB/s
870.4
11.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2967
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
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Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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