RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
74
Autour de -222% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
23
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
2579
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link