RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
52
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
38
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2821
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link