RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Confronto
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
52
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
38
Velocità di lettura, GB/s
9.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2179
2821
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link