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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
58
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
58
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2172
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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