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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
52
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.8
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2349
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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