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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
9.8
10.8
写入速度,GB/s
8.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2349
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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