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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
59
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
59
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
1954
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
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Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
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