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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
52
En -53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2504
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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