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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
52
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
34
读取速度,GB/s
9.8
13.9
写入速度,GB/s
8.0
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
2504
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
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