RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
45
En 2% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
45
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2556
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link