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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
45
左右 2% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
45
读取速度,GB/s
11.2
14.7
写入速度,GB/s
8.1
11.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
2556
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
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A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
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