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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
44
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
4032
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
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Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
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