RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
44
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
32
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3189
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO M418039 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link