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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
44
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3153
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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