RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Comparar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
44
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
11.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
33
Velocidade de leitura, GB/s
11.2
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
12.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2293
3153
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparações de RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link