RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
44
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
35
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3246
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905402-414.A00LF 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link