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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Puntuación global
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 9.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 7.0
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 39
    En -8% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    39 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.7 left arrow 9.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.2 left arrow 7.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1749 left arrow 1891

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

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