RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.2
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
39
Около -8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
9.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
1891
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link