RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.2
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
39
Около -8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
9.3
Скорость записи, Гб/сек
7.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
1891
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link