RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
39
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
1891
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link