RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
4060
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link