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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
44
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
25
读取速度,GB/s
11.2
20.1
写入速度,GB/s
8.1
16.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
4060
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
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