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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.7
20.8
写入速度,GB/s
7.5
16.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3773
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
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