RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
3835
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link