RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
44
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2914
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link