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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
43
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3437
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unigen Corporation U51U7200N8DD-BDH 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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