RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
43
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
21
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
3437
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link