RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
38
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2483
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link