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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
38
Intorno 32% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
38
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2483
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Jinyu 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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