RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.2
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
44
En -22% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2090
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link