RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.2
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
44
Около -22% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
9.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2090
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link