RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Сравнить
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB против SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
9.6
Скорость записи, Гб/сек
8.7
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2207
1204
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link