Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB против SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 29
    Около 7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.1 left arrow 9.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.7 left arrow 6.7
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.1 left arrow 9.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.7 left arrow 6.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2207 left arrow 1204
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения