Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB vs SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    27 left arrow 29
    Intorno 7% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.1 left arrow 9.6
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.7 left arrow 6.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 29
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.1 left arrow 9.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.7 left arrow 6.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2207 left arrow 1204
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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