Confronto tra le RAM Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Punteggio complessivo

Kingston KVR533D2N4 512MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB

Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

71 75

Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.6 1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

6.4 1,672.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 4200

Intorno 5.07 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Kingston KVR533D2N4 512MB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

301 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns