RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
71
75
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
71
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1650
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link