RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Porównaj
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
41
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2087
2196
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link