RAM-Vergleich Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Gesamtnote

Kingston KVR533D2N4 512MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KVR533D2N4 512MB

Gründe für die Berücksichtigung
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

71 75

Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15.6 1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

6.4 1,672.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 4200

Rund um 5.07 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Kingston KVR533D2N4 512MB

Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

301 1650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns