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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB vs AMD R534G1601U1S 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
68
Intorno 57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.6
6.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.7
4.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
29
68
Velocità di lettura, GB/s
9.6
6.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
4.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1204
1209
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
AMD R534G1601U1S 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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