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Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Compara
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB vs SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.1
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.7
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2207
1204
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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