Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB vs SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Note globale
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Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB

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SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 29
    Autour de 7% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    14.1 left arrow 9.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.7 left arrow 6.7
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    27 left arrow 29
  • Vitesse de lecture, GB/s
    14.1 left arrow 9.6
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.7 left arrow 6.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2207 left arrow 1204
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons