RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre 0000 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kllisre 0000 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Kllisre 0000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
44
49
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.2
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 0000 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre 0000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
49
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
2220
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kllisre 0000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link