RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
8.0
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1911
2761
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link