RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2761
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link