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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Compara
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Puntuación global
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
44
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.7
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2293
1832
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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